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集成电路 - IC

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TH58NYG3S0HBAI6

  • Toshiba Memory
  • 新批次
  • NAND闪存 1.95V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
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数量单价合计
1
¥64.5456
64.5456
10
¥59.3928
593.928
25
¥58.1724
1454.31
50
¥58.0142
2900.71
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
NAND闪存
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VFBGA-67
存储容量
8 Gbit
接口类型
Parallel
组织
1 G x 8
数据总线宽度
8 bit
电源电压-最小
1.7 V
电源电压-最大
1.95 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装
Tray
存储类型
NAND
商标
Toshiba Memory
湿度敏感性
Yes
产品类型
NAND Flash
工厂包装数量
338
子类别
Memory & Data Storage
商品其它信息
优势价格,TH58NYG3S0HBAI6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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