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无线和射频半导体
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MRF160

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB
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数量单价合计
1
¥218.2256
218.2256
10
¥209.8523
2098.523
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
18 dB
输出功率
4 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
249-06
封装
Tray
配置
Single
工作频率
500 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
MACOM
Pd-功率耗散
24 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
商品其它信息
优势价格,MRF160的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 272WB4
500:¥382.1999
参考库存:15029
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU Bluetooth BLE and IEEE 802.15.4
1:¥25.8205
10:¥23.052
25:¥20.7468
100:¥18.9049
参考库存:15032
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 2.4 GHz SoC supporting 802.15.4 RF4CE
250:¥33.1203
500:¥30.0467
1,000:¥25.3572
2,500:¥24.0464
参考库存:15035
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥1,081.6021
5:¥1,060.392
10:¥1,010.9884
25:¥989.6992
参考库存:15038
CEL
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz
1:¥960.50
参考库存:15041
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