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无线和射频半导体
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UF28150J

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB
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1
¥2,069.9114
2069.9114
10
¥2,037.7968
20377.968
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
16 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
8 dB
输出功率
150 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
375-04
封装
Tray
配置
Dual
工作频率
100 MHz to 500 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
MACOM
Pd-功率耗散
389 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
6 V
商品其它信息
优势价格，UF28150J的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI1063-A-GM
Silicon Labs
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 64 kB +13 dBm
1:¥34.9622
10:¥33.0412
25:¥32.0468
50:¥31.0411
参考库存:3920
MAX19994AETX+
Maxim Integrated
无线和射频半导体
上下转换器 High-Gain 1.2GHz to 2GHz Downconv
1:¥242.3511
10:¥230.2149
25:¥161.5222
50:¥128.7861
参考库存:3680
HMC460-SX
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 amp, lo Noise, DC-20 GHz
2:¥1,710.4584
6:¥1,686.2538
10:¥1,638.0706
26:¥1,553.7839
参考库存:3636
BAR 67-02V H6327
Infineon Technologies
无线和射频半导体
PIN 二极管 RF DIODE
1:¥3.7629
10:¥2.6103
100:¥1.1978
1,000:¥0.92208
3,000:¥0.78422
参考库存:12344
MA47222
MACOM
无线和射频半导体
RF 开关 IC IL <=.5dB Iso <= 20dB
1:¥410.2465
5:¥372.90
参考库存:3675
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