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无线和射频半导体
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MRF141

  • Advanced Semiconductor, Inc.
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
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数量单价合计
1
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571.5314
10
¥524.433
5244.33
25
¥470.645
11766.125
50
¥416.857
20842.85
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
16 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
221-11-3
封装
Tray
配置
Single
工作频率
175 MHz
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
300 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AND0581SV3
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Silicon Labs
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260:¥37.0414
520:¥34.9622
1,040:¥34.4198
参考库存:28589
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