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无线和射频半导体
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MRF158

  • MACOM
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB
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207.468
10
¥191.874
1918.74
25
¥184.1109
4602.7725
50
¥176.3478
8817.39
100
¥163.8952
16389.52
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
500 mA
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
18 dB
输出功率
2 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
305A-01
封装
Tray
配置
Single
工作频率
500 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
MACOM
Pd-功率耗散
8 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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参考库存:31231
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