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无线和射频半导体
BFP 540ESD H6327参考图片

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BFP 540ESD H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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1
¥4.4522
4.4522
10
¥3.7516
37.516
100
¥2.2939
229.39
1,000
¥1.7628
1762.8
3,000
¥1.5029
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFP540
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
集电极—发射极最大电压 VCEO
4.5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1 V
集电极连续电流
80 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
170
工作频率
30 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
增益带宽产品fT
30 GHz
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP540ESDH6327XTSA1 BFP54ESDH6327XT SP000745298
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFT09H310-03SR6
NXP / Freescale
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2,000:¥30.0467
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