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无线和射频半导体
MT3S111(TE85L,F)参考图片

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MT3S111(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 700mW
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1
¥5.4579
5.4579
10
¥4.2149
42.149
100
¥2.7233
272.33
1,000
¥2.1809
2180.9
3,000
¥1.8419
5525.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
MT3S111
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
集电极—发射极最大电压 VCEO
6 V
发射极 - 基极电压 VEBO
0.6 V
集电极连续电流
100 mA
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-236-3
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
11.5 GHz
商标
Toshiba
最大直流电集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
700 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
12 mg
商品其它信息
优势价格，MT3S111(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
M6EH
MACOM
无线和射频半导体
射频混合器 LO 5-750MHz IF DC-500MHz
1:¥896.881
10:¥874.281
25:¥832.5614
50:¥794.6047
100:¥759.9476
参考库存:1563
ADRF6755ACPZ
Analog Devices
无线和射频半导体
调节器/解调器 100-2400MHz I/Q
1:¥128.933
10:¥116.955
25:¥109.9603
50:¥105.881
参考库存:1894
HMC904LC5
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
上下转换器 GaAs MMIC I/Q Downconverter, 17 - 24 GHz
1:¥608.4937
5:¥598.8887
10:¥578.0628
25:¥559.011
参考库存:1554
THS9001DBVT
Texas Instruments
无线和射频半导体
射频放大器 50-MHz to 350-MHz Cascadeable Amp
1:¥26.3516
10:¥23.6622
100:¥19.3682
250:¥18.2156
500:¥16.5206
参考库存:2021
SI4356-B1A-FMR
Silicon Labs
无线和射频半导体
射频接收器 RX sub-GHz receiver
1:¥10.2943
10:¥10.1474
25:¥9.9101
50:¥9.7632
2,500:¥9.379
参考库存:2346
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