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无线和射频半导体
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SD2942

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1
¥1,061.3864
1061.3864
10
¥973.947
9739.47
25
¥874.055
21851.375
50
¥774.163
38708.15
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
40 A
Vds-漏源极击穿电压
130 V
增益
15 dB
输出功率
350 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M244
封装
Tray
配置
Single
工作频率
250 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
500 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
4 V
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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