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无线和射频半导体
BFP 740 H6327参考图片

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BFP 740 H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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库存:5,884(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.842
3.842
10
¥3.2092
32.092
100
¥1.9549
195.49
1,000
¥1.5142
1514.2
3,000
¥1.2882
3864.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP740
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
160
集电极—发射极最大电压 VCEO
4 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.2 V
集电极连续电流
30 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
42 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
160 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP740H6327XTSA1 BFP74H6327XT SP000750414
单位重量
1.870 mg
商品其它信息
优势价格,BFP 740 H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频接收器 315MHz/434MHz Superheterodyne Rcvr
1:¥48.1041
10:¥42.9513
25:¥38.646
50:¥31.6626
2,500:¥19.9784
参考库存:5014
无线和射频半导体
RF 开关 IC .02-2.5GHz SPDT 10W IL .4dB Iso 26dB
1:¥35.7306
10:¥32.1146
25:¥29.041
50:¥27.5042
3,000:¥22.4418
参考库存:7895
无线和射频半导体
射频放大器 MML25231H/HVSON8///REEL 7 Q2 NDP
1:¥42.6462
10:¥38.194
25:¥34.352
50:¥32.7361
1,000:¥20.3626
参考库存:2136
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
1:¥993.6203
参考库存:1645
无线和射频半导体
射频放大器 3.3-4.2GHz NF 1.1dB Gain 22dB 3.3-5.0V
1:¥52.9405
25:¥40.567
100:¥31.6626
250:¥26.2047
2,500:¥20.5886
参考库存:3922
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