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无线和射频半导体
BFP 740 H6327参考图片

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BFP 740 H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥3.842
3.842
10
¥3.2092
32.092
100
¥1.9549
195.49
1,000
¥1.5142
1514.2
3,000
¥1.2882
3864.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP740
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
160
集电极—发射极最大电压 VCEO
4 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.2 V
集电极连续电流
30 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
42 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
160 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP740H6327XTSA1 BFP74H6327XT SP000750414
单位重量
1.870 mg
商品其它信息
优势价格,BFP 740 H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 32kB, 8kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
2,500:¥45.0305
参考库存:28939
无线和射频半导体
PIN 二极管
35:¥141.3065
50:¥138.0069
100:¥131.3173
250:¥120.4806
参考库存:28942
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S260-12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥773.7788
参考库存:28945
IDT
无线和射频半导体
射频放大器 射频放大器 700MHz to 1.1GHz
490:¥29.9676
980:¥26.894
1,470:¥22.6678
2,940:¥21.5152
参考库存:28948
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU ATmega 644PV-10AU AT86RF231-ZU
206:¥62.1613
250:¥56.7825
500:¥51.867
1,000:¥46.8724
参考库存:28951
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