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无线和射频半导体
CGH60030D-GP4参考图片

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CGH60030D-GP4

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
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¥561.6213
5616.213
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
15 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
3 A
输出功率
30 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Waffle
应用
-
配置
Dual
高度
100 um
长度
1.66 mm
工作频率
4 GHz to 6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
920 um
商标
Wolfspeed / Cree
闸/源截止电压
-
通道数量
2 Channel
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
500 mOhms
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格,CGH60030D-GP4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频发射器 315MHz FSK/ASK Transmitter
1:¥17.9783
10:¥14.5205
100:¥11.6051
500:¥10.1474
5,000:¥7.571
参考库存:40378
无线和射频半导体
射频收发器 2.4-2.5GHz 802.11g/b 射频收发器
1:¥81.8346
10:¥77.2242
25:¥61.7771
50:¥58.7035
2,500:¥39.7308
参考库存:40381
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFET
1:¥4,072.52
25:¥3,672.952
参考库存:1942
无线和射频半导体
射频前端 4.9-5.925GHz NF 1.7dB Gain 13.5dB
1:¥14.2154
25:¥12.2153
100:¥10.3734
200:¥9.6841
参考库存:2683
AVX
无线和射频半导体
衰减器 0603 9dB
1:¥43.7197
10:¥42.9513
20:¥40.8834
50:¥40.1828
参考库存:2035
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