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无线和射频半导体
BFR 182 E6327参考图片

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BFR 182 E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
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库存:14,128(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.5199
25.199
100
¥1.1639
116.39
1,000
¥0.89157
891.57
3,000
¥0.76049
2281.47
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFR182
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
0.035 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
70 at 10 mA at 8 V
高度
1 mm
长度
2.9 mm
工作频率
8000 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
增益带宽产品fT
8000 MHz
最大直流电集电极电流
0.035 A
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR182E6327HTSA1 BFR182E6327XT SP000011051
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BFR 182 E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF 开关 IC SPST, 0.5-3GHz
1:¥40.115
10:¥36.0357
100:¥29.5834
250:¥28.0466
参考库存:1528
无线和射频半导体
射频接收器 315MHz/433MHz ASK Superheterodyne Rec
1:¥28.589
25:¥20.3626
250:¥18.9049
1,000:¥17.2099
2,000:¥16.4415
参考库存:1668
无线和射频半导体
射频放大器 lo Noise amp SMT, 350 - 550 MHz
1:¥91.3605
10:¥83.9816
25:¥80.5238
100:¥70.9188
参考库存:1531
无线和射频半导体
射频放大器 LNA w/ bypass, 4.4-6.0 GHz, 1.8V logic
1:¥52.9405
25:¥40.567
100:¥31.6626
250:¥26.2047
2,500:¥18.0574
参考库存:4028
无线和射频半导体
RF 开关 IC WB 2.5GHz 37dB Iso CMOS 4:1 Mux/SP4T
1:¥35.6515
10:¥31.8095
25:¥28.6568
50:¥27.3573
参考库存:1543
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