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无线和射频半导体
BFP 740ESD H6327参考图片

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BFP 740ESD H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
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1
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4.0002
10
¥3.2996
32.996
100
¥2.0114
201.14
1,000
¥1.5481
1548.1
3,000
¥1.3334
4000.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFP740
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
集电极—发射极最大电压 VCEO
4.2 V
集电极连续电流
45 mA
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT343-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
400
工作频率
45 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
160 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP740ESDH6327XTSA1 BFP74ESDH6327XT SP000785486
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格，BFP 740ESD H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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20:¥1,121.864
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