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无线和射频半导体
MRF151参考图片

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MRF151

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 150Watts 50Volt Gain 18dB
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库存:4,082(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥415.3993
415.3993
10
¥390.9574
3909.574
25
¥378.7421
9468.5525
50
¥366.5268
18326.34
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
16 A
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
13 dB
输出功率
150 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
221-11-3
封装
Tray
配置
Single
工作频率
175 MHz
商标
MACOM
Pd-功率耗散
300 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
20
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
商品其它信息
优势价格,MRF151的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频混合器 IC IF Receive Path
1:¥62.0822
10:¥55.8672
25:¥52.5563
50:¥49.4036
1,500:¥33.8096
参考库存:3729
无线和射频半导体
射频放大器 1.6-2.2GHz NF .65dB Gain 17.3dB
1:¥30.51
10:¥27.2782
25:¥24.5888
100:¥22.3627
3,000:¥13.8312
参考库存:3345
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1014N/PLD4L///REEL 7 Q1 DP
1:¥99.0445
10:¥91.0554
25:¥87.0552
100:¥76.9191
1,000:¥60.9296
参考库存:3617
无线和射频半导体
PIN 二极管 .3pF -40C +150C Common Cathode
1:¥15.5262
10:¥13.9894
25:¥12.6786
100:¥11.2209
3,000:¥7.1303
参考库存:3928
无线和射频半导体
射频放大器 MMIC wideband amp
1:¥2.4634
10:¥1.9888
100:¥1.1413
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.73789
参考库存:17997
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