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无线和射频半导体
MRFE6VP5600HR5参考图片

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MRFE6VP5600HR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H
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库存:3,787(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,431.5292
1431.5292
5
¥1,399.6406
6998.203
10
¥1,370.9838
13709.838
25
¥1,350.7681
33769.2025
50
¥1,301.6696
65083.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
130 V
增益
25 dB
输出功率
600 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
1.8 MHz to 600 MHz
系列
MRFE6VP5600
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
Pd-功率耗散
1.667 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935310538178
单位重量
13.155 g
商品其它信息
优势价格,MRFE6VP5600HR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 MMZ27333B/HVQFN24///REEL 7 Q2 NDP
1:¥70.6928
10:¥63.2348
25:¥56.8616
50:¥54.1722
1,000:¥33.7305
参考库存:3868
无线和射频半导体
RFID应答器 UFDFPN 12L 3X3X0.55 Pitch 0.50
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
参考库存:7654
无线和射频半导体
射频放大器 31DBM GAAS AMP
1:¥75.9925
10:¥67.9243
25:¥61.1669
50:¥58.2402
1,000:¥36.273
参考库存:4127
无线和射频半导体
RF 开关 IC .05-50GHz SP4T AlGaAs IL .7dB
25:¥180.4158
50:¥164.0534
参考库存:3455
无线和射频半导体
RF 开关 IC SPDT SWITCH-40 TO+85
1:¥48.6352
10:¥41.3354
100:¥35.8097
250:¥33.9678
2,500:¥24.4306
参考库存:5942
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