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无线和射频半导体
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TGF2025

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 14dB NF .9dB P1dB 24dBm
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数量单价合计
100
¥46.8724
4687.24
300
¥43.7988
13139.64
500
¥40.9512
20475.6
1,000
¥38.2618
38261.8
2,500
¥35.9566
89891.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
增益
14 dB
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 15 V
Id-连续漏极电流
81 mA
最大漏极/栅极电压
12 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
890 mW
安装风格
SMD/SMT
封装
Gel Pack
配置
Single
工作频率
20 GHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
产品
RF JFET
系列
TGF
类型
GaAs pHEMT
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
97 mS
NF—噪声系数
0.9 dB
P1dB - 压缩点
24 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1098611
商品其它信息
优势价格,TGF2025的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频无线杂项 Interger
1:¥312.6597
5:¥303.8231
10:¥291.6869
25:¥270.7028
参考库存:2147
无线和射频半导体
射频放大器 50-1100MHZ 75 Ohm Gain 22dB NF 2.2dB
1:¥32.7361
10:¥25.2781
100:¥22.9729
250:¥20.8259
1,000:¥15.2098
参考库存:2255
无线和射频半导体
PIN 二极管 Rs=2.5 Ohms Cj=.12pF Rated 200V
1:¥15.7522
10:¥14.1363
25:¥12.8368
100:¥11.3678
参考库存:2302
无线和射频半导体
射频放大器 1550-1600MHz Gain 27dB
1:¥18.8258
10:¥15.2098
100:¥12.1362
500:¥10.5994
3,000:¥7.9891
参考库存:3306
无线和射频半导体
RF 开关 IC
1:¥1,408.7032
25:¥1,163.2785
50:¥930.6115
100:¥793.147
参考库存:2119
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