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无线和射频半导体
BFP 193 E6327参考图片

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BFP 193 E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
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库存:9,106(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥2.6103
26.103
100
¥1.1978
119.78
1,000
¥0.92208
922.08
3,000
¥0.78422
2352.66
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP193
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
0.08 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-143-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
70 at 30 mA at 8 V
高度
1 mm
长度
2.9 mm
工作频率
8 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
增益带宽产品fT
8000 MHz
最大直流电集电极电流
0.08 A
Pd-功率耗散
580 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP193E6327HTSA1 BFP193E6327XT SP000011024
商品其它信息
优势价格,BFP 193 E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 3.3-3.8GHz Gain 40dB P1dB 27.8dBm 6 bit
1:¥133.6225
25:¥102.3554
100:¥79.9136
250:¥66.1615
2,500:¥45.7198
参考库存:5084
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Dual Power Freq Synthesizer
1:¥43.4146
10:¥39.1093
25:¥36.8041
50:¥34.578
1,000:¥23.9786
参考库存:6084
无线和射频半导体
调节器/解调器 30MHz to 1300MHz Low Power Direct Quadrature Modulator
1:¥82.7612
25:¥54.9406
100:¥45.4147
250:¥43.1886
参考库存:5162
无线和射频半导体
射频放大器 Medium pow amp SMT, 6 - 18 GHz
1:¥427.3886
5:¥414.4727
10:¥401.489
25:¥388.5844
100:¥360.0745
200:¥349.7802
参考库存:43541
无线和射频半导体
射频放大器 1000Mhz CATV LNA
1:¥12.3735
10:¥9.9101
100:¥7.6275
500:¥6.7461
3,000:¥4.7347
参考库存:5158
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