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无线和射频半导体
BFP840ESDH6327XTSA1参考图片

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BFP840ESDH6327XTSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.938
29.38
100
¥1.7967
179.67
1,000
¥1.3899
1389.9
3,000
¥1.1865
3559.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFP840
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
集电极—发射极最大电压 VCEO
2.25 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.9 V
集电极连续电流
35 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
80 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
75 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
840ESD BFP BFP84ESDH6327XT H6327 SP000943010
单位重量
6.400 mg
商品其它信息
优势价格，BFP840ESDH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC451
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 Medium pow amp Chip, 5 - 20 GHz
50:¥295.834
100:¥276.7822
250:¥267.245
参考库存:4855
ON5088,115
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
RFID应答器 10V NPN 55GHz
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:10666
ARF463BG
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥254.8828
5:¥243.4246
10:¥235.8197
25:¥216.6888
参考库存:4779
UF2840G
MACOM
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB
1:¥1,104.4959
10:¥994.0836
参考库存:4801
HMC602LP4ETR
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频检测器 70 dB, Log Det/Controller , 1 - 8000 MHz
1:¥157.6011
10:¥144.9225
25:¥138.9222
100:¥122.4016
500:¥114.0283
参考库存:4830
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