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无线和射频半导体
T1G2028536-FL参考图片

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T1G2028536-FL

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
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数量单价合计
1
¥3,903.472
3903.472
25
¥3,597.4228
89935.57
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
20.8 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
36 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
24 A
输出功率
260 W
最大漏极/栅极电压
48 V
最大工作温度
+ 275 C
Pd-功率耗散
288 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
配置
Single
工作频率
2 GHz
产品
RF Power Transistor
系列
T1G
类型
GaN SiC HEMT
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
零件号别名
1111394
商品其它信息
优势价格,T1G2028536-FL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF 开关 IC DC-3.0GHz Iso 20dB IL 2.1dB
20:¥1,152.0576
参考库存:29154
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 64 kB M3, USB, +20 dBm PRO, QFN64 wireless MCU
260:¥34.6571
520:¥32.7361
1,040:¥32.1937
参考库存:29157
无线和射频半导体
调谐器 Worldwide Digital Set-Top Box Tuner for ATSC/QAM, DVB-T2/C2/T/C, ISDB-T/C, DTMB
2,500:¥11.8311
参考库存:29160
无线和射频半导体
射频放大器 1500-3000MHz High Linearity, LNA
2,500:¥30.962
参考库存:29163
NJR
无线和射频半导体
调节器/解调器 Wide Band FM IF Demodulator
2,000:¥5.6613
参考库存:29166
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