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无线和射频半导体
BFP 620 H7764参考图片

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BFP 620 H7764

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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库存:7,850(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.2262
4.2262
10
¥3.5595
35.595
100
¥2.1696
216.96
1,000
¥1.6724
1672.4
3,000
¥1.4238
4271.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP620
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
110
集电极—发射极最大电压 VCEO
2.3 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.2 V
集电极连续电流
80 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
65 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
185 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP620H7764XTSA1 BFP62H7764XT SP000745302
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格,BFP 620 H7764的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
衰减器 30KHz-2.0GHz Attn 15.5dB .5dB Stp
1:¥46.7933
10:¥42.9513
25:¥39.0302
100:¥35.1204
3,000:¥24.747
参考库存:2226
无线和射频半导体
射频放大器 1CH MMIC Amp 3.7 dB 3.3V 18.2mA 3.1GHz
1:¥2.4634
10:¥1.9888
100:¥1.356
1,000:¥1.06785
3,000:¥0.69947
参考库存:5119
无线和射频半导体
射频放大器 BW 40-1000MHz 75 Ohm Dblr
1:¥209.0048
25:¥177.6586
100:¥151.533
250:¥120.1755
1,000:¥78.3768
参考库存:3117
无线和射频半导体
射频放大器 1 Watt pow amp SMT, 1.7 - 2.2 GHz
1:¥138.7753
10:¥127.5544
25:¥122.3338
100:¥107.7342
参考库存:2195
无线和射频半导体
射频混合器 4-23GHz NF7dB@12GHz Sample Board
1:¥1,536.80
参考库存:2131
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