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无线和射频半导体
HFA3102BZ参考图片

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HFA3102BZ

  • Renesas / Intersil
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL OPAMP 2X LONGTAIL NPN PAIR 14
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数量单价合计
1
¥45.6407
45.6407
10
¥41.2676
412.676
50
¥39.3466
1967.33
100
¥34.1938
3419.38
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
HFA3102
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
集电极—发射极最大电压 VCEO
8 V
发射极 - 基极电压 VEBO
12 V
集电极连续电流
0.03 A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
配置
Hex
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-14
封装
Tube
集电极—基极电压 VCBO
12 V
直流电流增益 hFE 最大值
40 at 10 mA at 3 V
高度
1.5 mm
长度
8.65 mm
工作频率
10000 MHz (Typ)
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
3.9 mm
商标
Renesas / Intersil
增益带宽产品fT
10000 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流
0.03 A
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
单位重量
130 mg
商品其它信息
优势价格，HFA3102BZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TEF8101EN/N1Y
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