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无线和射频半导体
HFA3102BZ参考图片

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HFA3102BZ

  • Renesas / Intersil
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL OPAMP 2X LONGTAIL NPN PAIR 14
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库存:3,632(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥45.6407
45.6407
10
¥41.2676
412.676
50
¥39.3466
1967.33
100
¥34.1938
3419.38
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
HFA3102
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
集电极—发射极最大电压 VCEO
8 V
发射极 - 基极电压 VEBO
12 V
集电极连续电流
0.03 A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
配置
Hex
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-14
封装
Tube
集电极—基极电压 VCBO
12 V
直流电流增益 hFE 最大值
40 at 10 mA at 3 V
高度
1.5 mm
长度
8.65 mm
工作频率
10000 MHz (Typ)
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
3.9 mm
商标
Renesas / Intersil
增益带宽产品fT
10000 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流
0.03 A
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
单位重量
130 mg
商品其它信息
优势价格,HFA3102BZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF 开关 IC GaAs MMIC T/R Switch, DC - 3 GHz
1:¥47.1775
10:¥42.6462
50:¥40.6461
100:¥35.3464
参考库存:3541
无线和射频半导体
射频检测器 50dB GSM PA Cntlr
1:¥72.3087
10:¥65.088
25:¥61.246
50:¥57.5509
参考库存:3504
无线和射频半导体
射频放大器 &frac12 Watt hi IP3 amp , 1.7 - 2.5 GHz
1:¥84.0607
10:¥77.3033
25:¥74.0715
100:¥65.314
参考库存:3563
无线和射频半导体
衰减器 3dB 50ohm
1:¥2.7685
10:¥2.3843
25:¥2.147
100:¥1.8645
5,000:¥1.02152
参考库存:10052
无线和射频半导体
RF 开关 IC .02-2.5GHz SPDT IL .4dB typ @ 1GHz
1:¥10.5994
10:¥9.5259
25:¥8.2264
100:¥7.4693
3,000:¥4.4183
参考库存:10080
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