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无线和射频半导体
CGH60008D-GP4参考图片

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CGH60008D-GP4

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
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数量单价合计
10
¥168.0536
1680.536
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
15 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
0.75 A
输出功率
8 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Waffle
应用
-
配置
Single
高度
100 um
长度
820 um
工作频率
4 GHz to 6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
920 um
商标
Wolfspeed / Cree
闸/源截止电压
-
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格,CGH60008D-GP4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RFID应答器 MEMORY
1:¥13.7521
10:¥11.6842
100:¥9.379
500:¥8.1473
参考库存:6958
无线和射频半导体
射频放大器 5.15-5.85GHz Gain 32dB P1dB 34dBm
1:¥43.1095
10:¥38.5782
25:¥34.7362
100:¥31.6626
3,000:¥19.5151
参考库存:5894
无线和射频半导体
射频前端 BDS/GPS/GNSS NF 1.9dB Gain 16.5dB
1:¥12.6786
10:¥11.4469
25:¥10.2152
100:¥9.2208
10,000:¥5.085
参考库存:9448
无线和射频半导体
衰减器 .05-4GHz 7 BIT GCR31.75dB Step.25dB
1:¥35.9566
25:¥27.5833
100:¥21.5152
250:¥17.8314
2,500:¥12.2944
参考库存:5211
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 2.4GHZ 64K SOC 48pin Ind 125C
1:¥44.9514
10:¥44.2621
25:¥41.0303
参考库存:4344
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