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无线和射频半导体
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MRF313

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库存:2,467(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥345.78
345.78
10
¥288.15
2881.5
25
¥259.335
6483.375
50
¥230.52
11526
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
150 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
305A-01
封装
Tray
工作频率
400 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
6.1 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,MRF313的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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