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无线和射频半导体
TGF2953参考图片

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TGF2953

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
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数量单价合计
50
¥337.3276
16866.38
100
¥291.766
29176.6
250
¥274.2397
68559.925
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
18.2 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Id-连续漏极电流
820 mA
输出功率
41.6 dBm
最大漏极/栅极电压
100 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
17 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
配置
Single
工作频率
15 GHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
商标
Qorvo
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
零件号别名
1112257
商品其它信息
优势价格，TGF2953的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MADP-011048-TR3000
MACOM
无线和射频半导体
PIN 二极管 5-400MHz >50W Ct=3pF Non-Magnetic
1:¥108.8077
10:¥89.0553
50:¥79.1452
100:¥71.2352
3,000:¥55.4039
参考库存:3815
TGL2223-SM
Qorvo
无线和射频半导体
衰减器 1-31GHz 5Bit LSB.5dB Atten. Range 15.5dB
1:¥384.20
25:¥311.202
100:¥252.1143
参考库存:2961
MRFE6VP61K25HR5
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
1:¥1,330.9479
5:¥1,298.9011
10:¥1,266.7074
25:¥1,248.9551
50:¥1,248.9551
参考库存:1786
AFM906NT1
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFM906N/HVSON16///REEL 7 Q1 DP
1:¥18.2834
10:¥16.7466
25:¥15.2098
100:¥13.7521
1,000:¥10.2943
参考库存:3614
EZR32HG220F64R68G-B0
Silicon Labs
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 64 kB M0+, +20 dBm EZRadioPRO, QFN48 wireless MCU
1:¥27.7415
10:¥27.1991
25:¥26.7358
50:¥26.2047
参考库存:1851
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