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无线和射频半导体
BFP 540FESD H6327参考图片

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BFP 540FESD H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.6386
36.386
100
¥2.2261
222.61
1,000
¥1.7176
1717.6
3,000
¥1.4577
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFP540
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
集电极—发射极最大电压 VCEO
4.5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1 V
集电极连续电流
80 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSFP-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
30 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP540FESDH6327XTSA1 BFP54FESDH6327XT SP000745300
单位重量
1.870 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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