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无线和射频半导体

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BFP 182R E7764

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.5764
25.764
100
¥1.4012
140.12
1,000
¥1.05316
1053.16
3,000
¥0.90626
2718.78
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFP182
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
0.035 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-143-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
70 at 10 mA at 8 V
高度
1 mm
长度
2.9 mm
工作频率
8 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
增益带宽产品fT
8000 MHz
最大直流电集电极电流
0.035 A
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP182RE7764HTSA1 BFP182RE7764XT SP000011016
商品其它信息
优势价格，BFP 182R E7764的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
8V97051ANLGI8
IDT
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Low Power Wideband Fractional RF Synthesizer
2,500:¥62.2404
参考库存:55322
LA72910VL-TLM-E
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调节器/解调器
2,000:¥18.4416
4,000:¥17.7523
参考库存:55325
LXMSANAA18-182
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5,400:¥9.9892
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D2017UK
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无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V-1GHz SE
50:¥279.3925
100:¥270.1717
250:¥265.5613
参考库存:55331
F0440NBGI
IDT
无线和射频半导体
射频放大器 Variable Gain RF VGA
490:¥79.4503
980:¥74.3766
参考库存:55334
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