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无线和射频半导体
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NPT2021

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.5GHz 45W Gain 16.5dB GaN HEMT
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数量单价合计
1
¥562.0846
562.0846
2
¥552.9429
1105.8858
5
¥541.1118
2705.559
10
¥532.4221
5324.221
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN Si
增益
14.2 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
160 V
Vgs-栅源极击穿电压
3 V
Id-连续漏极电流
14 mA
输出功率
45 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
TO-272
封装
Tray
配置
Single
工作频率
2.5 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
商标
MACOM
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
340 mOhms
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 1.8 V
单位重量
2 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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250:¥105.4968
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100:¥4.2262
3,000:¥3.4917
参考库存:7479
LT5521EUF#PBF
Analog Devices
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25:¥61.0878
100:¥50.4884
250:¥47.9459
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1:¥201.3999
25:¥189.6366
参考库存:2181
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