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无线和射频半导体
NPT2021参考图片

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NPT2021

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.5GHz 45W Gain 16.5dB GaN HEMT
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数量单价合计
1
¥562.0846
562.0846
2
¥552.9429
1105.8858
5
¥541.1118
2705.559
10
¥532.4221
5324.221
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN Si
增益
14.2 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
160 V
Vgs-栅源极击穿电压
3 V
Id-连续漏极电流
14 mA
输出功率
45 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
TO-272
封装
Tray
配置
Single
工作频率
2.5 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
商标
MACOM
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
340 mOhms
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 1.8 V
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,NPT2021的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频发射器 315MHz FSK/ASK Transmitter
1:¥17.9783
10:¥14.5205
100:¥11.6051
500:¥10.1474
5,000:¥7.571
参考库存:40378
无线和射频半导体
射频收发器 2.4-2.5GHz 802.11g/b 射频收发器
1:¥81.8346
10:¥77.2242
25:¥61.7771
50:¥58.7035
2,500:¥39.7308
参考库存:40381
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFET
1:¥4,072.52
25:¥3,672.952
参考库存:1942
无线和射频半导体
射频前端 4.9-5.925GHz NF 1.7dB Gain 13.5dB
1:¥14.2154
25:¥12.2153
100:¥10.3734
200:¥9.6841
参考库存:2683
AVX
无线和射频半导体
衰减器 0603 9dB
1:¥43.7197
10:¥42.9513
20:¥40.8834
50:¥40.1828
参考库存:2035
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