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无线和射频半导体
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MRF134

  • MACOM
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB
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¥241.8878
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10
¥223.6835
2236.835
25
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5365.24
50
¥205.547
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
900 mA
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
11 dB
输出功率
5 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
211-07-3
封装
Tray
配置
Single
工作频率
400 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
MACOM
Pd-功率耗散
17.5 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
20
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
EFR32BG1P333F256GM48-C0R
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