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无线和射频半导体
HFA3101BZ参考图片

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HFA3101BZ

  • Renesas / Intersil
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 TXARRAY NPN GILBERT CELL 8W
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库存:1,967(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥61.7771
61.7771
10
¥55.8672
558.672
25
¥53.2456
1331.14
100
¥46.2622
4626.22
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
HFA3101
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
集电极—发射极最大电压 VCEO
8 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5.5 V
集电极连续电流
0.03 A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
配置
Hex
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
封装
Tube
集电极—基极电压 VCBO
12 V
直流电流增益 hFE 最大值
40 at 10 mA at 3 V
高度
1.5 mm (Max)
长度
5 mm (Max)
工作频率
10000 MHz (Typ)
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
4 mm (Max)
商标
Renesas / Intersil
增益带宽产品fT
10000 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流
0.03 A
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
98
子类别
Transistors
单位重量
72 mg
商品其它信息
优势价格,HFA3101BZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF 开关 IC High isolation SPDT, 30GHz, fast switchi
1:¥616.1777
5:¥604.9568
10:¥582.4472
25:¥551.6321
500:¥509.8334
参考库存:4196
无线和射频半导体
RFID应答器 MIFARE SAM AV2
1:¥93.5188
10:¥85.9817
25:¥82.4448
100:¥72.6138
参考库存:4481
无线和射频半导体
射频前端 169-170MHz FEM Ip1dB 15dB IL .4dB
1:¥24.3628
10:¥21.7412
25:¥19.5942
100:¥17.8314
3,000:¥10.9836
参考库存:4938
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU PSoC6
1:¥99.2027
5:¥96.8975
10:¥89.8237
25:¥82.6821
参考库存:4549
无线和射频半导体
射频放大器 MMZ38333B/HVQFN24///REEL 7 Q2 NDP
1:¥87.2925
10:¥77.9926
25:¥70.2295
50:¥66.8508
1,000:¥41.6518
参考库存:4832
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