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无线和射频半导体
BFP842ESDH6327XTSA1参考图片

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BFP842ESDH6327XTSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
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库存:4,171(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.938
29.38
100
¥1.7967
179.67
1,000
¥1.3899
1389.9
3,000
¥1.1865
3559.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP842
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
集电极—发射极最大电压 VCEO
3.25 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4.1 V
集电极连续电流
40 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
450
工作频率
60 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
120 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
842ESD BFP BFP842ESDH6327XT H6327 SP000943012
单位重量
7 mg
商品其它信息
优势价格,BFP842ESDH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频收发器 ULTR-LW POW WIRELS SOC SOL
1:¥35.0413
10:¥28.1257
100:¥25.6623
250:¥23.1311
4,000:¥15.142
参考库存:39885
无线和射频半导体
射频接收器 Switchable Rx-IC for RKE/TPMS (315MHz)
1:¥51.0986
10:¥46.104
25:¥42.1038
50:¥40.115
参考库存:39888
无线和射频半导体
射频接收器 308/315/418/433.9MHz FSK Superhtrdyne Rec
1:¥74.4557
10:¥70.3086
25:¥56.1723
50:¥53.4038
参考库存:1685
无线和射频半导体
射频放大器 QPA2735, .75-18 GHz LNA OM Pkg
1:¥342.2431
25:¥302.4445
50:¥302.4445
参考库存:1488
无线和射频半导体
射频混合器 Mixer
1:¥94.7392
10:¥87.0552
25:¥83.5296
100:¥73.5404
500:¥68.5458
参考库存:1446
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