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无线和射频半导体
BFR 183 E6327参考图片

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BFR 183 E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 65mA 450mW
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数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥2.1131
21.131
100
¥0.97632
97.632
1,000
¥0.7458
745.8
3,000
¥0.63732
1911.96
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFR183
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
70 at 15 mA at 8 V
高度
1 mm
长度
2.9 mm
工作频率
8000 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
0.065 A
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR183E6327HTSA1 BFR183E6327XT SP000011054
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BFR 183 E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF 开关 IC .05-20GHz SPST HMIC IL 1.2 Max.
50:¥43.3355
100:¥40.1828
参考库存:1614
无线和射频半导体
PIN 二极管 DIODE PIN SWITCH 50V 2PIN UMD
1:¥2.8476
10:¥2.1244
100:¥1.1526
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.7458
参考库存:6346
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU SAMR21 32pin 256K
1:¥35.5724
10:¥35.0413
25:¥32.4988
参考库存:1694
无线和射频半导体
PIN 二极管 Ls=.45nH SOD-882 Single
1:¥3.5369
10:¥2.8815
100:¥1.9549
500:¥1.469
3,000:¥0.9831
参考库存:18242
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥46.104
10:¥38.5782
25:¥34.6571
50:¥30.736
1,000:¥21.5152
参考库存:2002
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