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无线和射频半导体
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TH430

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库存:1,429(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥636.8454
636.8454
10
¥584.3682
5843.682
25
¥524.433
13110.825
50
¥464.4978
23224.89
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
集电极—发射极最大电压 VCEO
55 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
40 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
M177
封装
Tray
工作频率
30 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
330 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,TH430的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频混合器 100- 2700 MHz LO
2,500:¥53.9462
参考库存:14059
无线和射频半导体
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参考库存:14062
无线和射频半导体
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1,500:¥13.1419
参考库存:14065
无线和射频半导体
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1:¥3.1527
10:¥2.5764
100:¥1.5707
1,000:¥1.2091
参考库存:14068
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 13GHz Fast Ramp Direct Mod Frac NPLL
1,500:¥72.8398
参考库存:14071
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