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无线和射频半导体
BFP 640FESD H6327参考图片

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BFP 640FESD H6327

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数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.5369
35.369
100
¥2.1583
215.83
1,000
¥1.6724
1672.4
3,000
¥1.4238
4271.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP640
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
发射极 - 基极电压 VEBO
4.8 V
集电极连续电流
50 mA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSFP-4-1
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP640FESDH6327XTSA1 BFP64FESDH6327XT SP000890034
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BFP 640FESD H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 40-1000MHz NF 5.5dB,Gain 21.5dB
1:¥247.7299
25:¥233.2885
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无线和射频半导体
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1:¥38.4991
10:¥36.3408
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50:¥27.5833
2,500:¥18.8258
参考库存:7286
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC CC2430 Online Data Sheet**
1:¥100.8186
10:¥92.6713
25:¥87.9027
100:¥78.2977
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无线和射频半导体
PIN 二极管 IL .1dB @-10dBm Max CW Pwr 4W
100:¥18.0574
300:¥16.2155
500:¥15.368
1,000:¥12.9046
2,500:¥12.1362
参考库存:5090
无线和射频半导体
射频放大器 50-4000MHz 3V -40C +85C
1:¥8.7575
100:¥8.7575
200:¥8.0682
参考库存:4795
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