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无线和射频半导体

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BFR 360L3 E6765

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF Transistor
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25.086
100
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115.26
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883.66
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¥0.64523
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFR360L3
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
6 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
0.035 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSLP
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
15 V
直流电流增益 hFE 最大值
90
高度
0.45 mm
长度
1 mm
工作频率
14000 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
0.6 mm
商标
Infineon Technologies
增益带宽产品fT
14000 MHz
最大直流电集电极电流
0.035 A
Pd-功率耗散
210 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
15000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR360L3E6765XTMA1 BFR36L3E6765XT SP000013561
单位重量
0.540 mg
商品其它信息
优势价格，BFR 360L3 E6765的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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