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无线和射频半导体
55GN01CA-TB-E参考图片

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55GN01CA-TB-E

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 SWITCHING DEVICE
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库存:9,910(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.2374
22.374
100
¥0.9605
96.05
1,000
¥0.73789
737.89
3,000
¥0.56048
1681.44
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
55GN01CA
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
100
集电极—发射极最大电压 VCEO
10 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
5 mA
最小工作温度
+ 25 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
CP-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
180
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
工作频率
5.5 GHz
工作温度范围
+ 25 C to + 150 C
类型
RF Bipolar Power
宽度
1.5 mm
商标
ON Semiconductor
增益带宽产品fT
4.5 GHz
最大直流电集电极电流
70 mA
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,55GN01CA-TB-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF 开关 IC GaAs MMIC SP4T Non-Refl Swtch DC
1:¥66.9299
10:¥60.4776
25:¥57.7091
100:¥50.1042
500:¥43.6406
参考库存:5012
无线和射频半导体
射频前端 4.9-5.925GHz FEM WiFi 802.11a/n/ac
1:¥9.4468
100:¥9.4468
200:¥8.6784
参考库存:4117
无线和射频半导体
射频前端 902-928MHz NF 1.3dB Hi Gain 21dB
1:¥52.4772
100:¥46.4882
250:¥38.9624
500:¥32.9621
1,000:¥23.9786
2,500:¥17.9783
参考库存:6203
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥1,451.8127
10:¥1,403.4035
25:¥1,354.9943
50:¥1,306.6642
参考库存:42474
无线和射频半导体
RF 开关 IC .7-2.7GHz SP14T MIPI -30C +90C
1:¥24.747
10:¥22.2836
25:¥20.1366
50:¥19.0518
3,000:¥12.2944
参考库存:4156
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