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无线和射频半导体
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MRF1K50H-TF2

  • NXP / Freescale
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF2/HWONLY///BOARDS NO MARK
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参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
36 A
Vds-漏源极击穿电压
135 V
增益
23.7 dB
输出功率
1.5 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230H-4S
工作频率
1.8 MHz to 500 MHz
系列
MRF1K50H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
正向跨导 - 最小值
33.5 S
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
1.667 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
零件号别名
935336497598
商品其它信息
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