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无线和射频半导体
NSVF5490SKT3G参考图片

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NSVF5490SKT3G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF-TR 10V 30MA FT
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库存:12,668(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.068
4.068
10
¥3.3335
33.335
100
¥2.034
203.4
1,000
¥1.5707
1570.7
8,000
¥1.2543
10034.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
90
集电极—发射极最大电压 VCEO
10 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.5 V
集电极连续电流
30 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-623-3
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
8 GHz
商标
ON Semiconductor
最大直流电集电极电流
30 mA
Pd-功率耗散
100 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
8000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,NSVF5490SKT3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
10:¥245.2778
参考库存:1902
无线和射频半导体
射频检测器 100kHz to 1GHz RF Pwr Detector
1:¥29.1992
25:¥19.3682
100:¥15.9782
250:¥15.2098
500:¥13.8312
1,500:¥13.5261
参考库存:6127
无线和射频半导体
RF 开关 IC 20MHz-6GHz SP4T GaAs IL .45dB @ 1GHz
1:¥12.6786
10:¥11.4469
25:¥10.3734
100:¥9.2208
3,000:¥7.571
参考库存:7505
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ13.6V
1:¥122.6389
10:¥112.7288
25:¥107.802
100:¥95.2025
500:¥82.2188
参考库存:2298
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N
1:¥88.2869
10:¥79.7554
25:¥69.5402
100:¥66.0824
1,000:¥48.6352
参考库存:2323
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