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无线和射频半导体
T2G6001528-SG参考图片

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T2G6001528-SG

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN
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库存:4,749(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥812.583
812.583
25
¥733.3587
18333.9675
100
¥661.8184
66181.84
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
15 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
5 A
输出功率
17 W
Pd-功率耗散
28 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
配置
Single
工作频率
6 GHz
系列
T2G
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1113256
商品其它信息
优势价格,T2G6001528-SG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频前端 2.4-2.5GHz FEM WiFi 802.11b/g/n BT
100:¥14.9838
200:¥13.7521
500:¥11.9893
1,000:¥9.9892
2,500:¥7.9891
参考库存:28546
无线和射频半导体
射频前端 DUAL BAND FEM
3,000:¥6.2489
6,000:¥6.0116
参考库存:12617
无线和射频半导体
RF 开关 IC 6-14GHz SPDT HMIC IL @ 12GHz .65dB
25:¥356.6167
75:¥345.78
参考库存:28551
无线和射频半导体
衰减器 6-bit DAT with 0.25dB LSB, DC-6GHz
500:¥106.8076
参考库存:28554
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT09S200W02S/CFM2F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥650.2924
参考库存:28557
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