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无线和射频半导体
TGF2977-SM参考图片

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TGF2977-SM

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
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数量单价合计
1
¥185.5686
185.5686
25
¥160.5165
4012.9125
100
¥138.8544
13885.44
250
¥129.0912
32272.8
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
13 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 2.7 V
Id-连续漏极电流
326 mA
输出功率
6 W
最大工作温度
+ 225 C
Pd-功率耗散
8.4 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-16
封装
Tray
配置
Single
高度
0.203 mm
长度
3 mm
工作频率
DC to 12 GHz
类型
GaN SiC HEMT
宽度
3 mm
商标
Qorvo
通道数量
1 Channel
开发套件
TGF2977-SMEVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
零件号别名
1127257
单位重量
57.100 mg
商品其它信息
优势价格，TGF2977-SM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SKY67150-396LF
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
射频放大器 300-2200MHz NF .23dB @ 849MHz
1:¥48.4883
10:¥43.3355
25:¥38.9624
100:¥35.5046
3,000:¥21.8994
参考库存:3735
MRF154
MACOM
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥3,513.3508
参考库存:2988
LMX2531LQ1650E/NOPB
Texas Instruments
无线和射频半导体
锁相环 - PLL HIGH PERF FREQUENCY SYNTHESIZER SYSTEM
1:¥89.8237
10:¥82.5239
25:¥78.2977
100:¥69.7662
250:¥66.3084
参考库存:3244
TGA2597
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 2-6GHz Gain >24dB GaN PAE >31%
50:¥325.7225
100:¥246.5773
250:¥219.5364
参考库存:3032
CY23EP05SXI-1H
Cypress Semiconductor
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 3.3VZDB IND
1:¥125.4752
10:¥114.0283
25:¥105.4968
50:¥96.8975
参考库存:3495
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