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无线和射频半导体
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BGA855N6E6327XTSA1

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40.454
100
¥2.6103
261.03
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¥2.0905
2090.5
12,000
¥1.7063
20475.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频放大器
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSNP-6
类型
LNA
技术
SiGe
工作频率
1164 MHz to 1300 MHz
P1dB - 压缩点
- 14 dBm
增益
17.6 dB
工作电源电压
1.1 V to 3.3 V
NF—噪声系数
0.6 dB
测试频率
1214 MHz
OIP3 - 三阶截点
1 dBm
工作电源电流
4.4 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
BGA855N6
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
通道数量
1 Channel
输入返回损失
11 dB
隔离分贝
22 dB
Pd-功率耗散
60 mW
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
12000
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
零件号别名
BGA855N6 SP002337750
商品其它信息
优势价格，BGA855N6E6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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