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无线和射频半导体
BGA855N6E6327XTSA1参考图片

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BGA855N6E6327XTSA1

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库存:16,293(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥4.0454
40.454
100
¥2.6103
261.03
1,000
¥2.0905
2090.5
12,000
¥1.7063
20475.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSNP-6
类型
LNA
技术
SiGe
工作频率
1164 MHz to 1300 MHz
P1dB - 压缩点
- 14 dBm
增益
17.6 dB
工作电源电压
1.1 V to 3.3 V
NF—噪声系数
0.6 dB
测试频率
1214 MHz
OIP3 - 三阶截点
1 dBm
工作电源电流
4.4 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
BGA855N6
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
通道数量
1 Channel
输入返回损失
11 dB
隔离分贝
22 dB
Pd-功率耗散
60 mW
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
12000
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
零件号别名
BGA855N6 SP002337750
商品其它信息
优势价格,BGA855N6E6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 WLAN/WiMAX Low-Noise Amp
1:¥10.5994
10:¥9.9892
25:¥7.9891
50:¥7.5936
2,500:¥4.7912
参考库存:6906
无线和射频半导体
衰减器 2db 1W 0603 DC to 20GHz
1:¥69.5402
10:¥63.6981
25:¥57.9351
50:¥54.9406
500:¥43.4146
参考库存:3769
无线和射频半导体
衰减器 .05-6GHz 7 BIT GCR31.75dB Step.25dB
1:¥33.1203
25:¥25.3572
100:¥19.8202
250:¥16.4415
2,500:¥11.3678
参考库存:5689
无线和射频半导体
射频前端 2.4GHz ZigBee/ISM RFeIC PA+LNA+SPDT
1:¥11.6051
10:¥9.2208
100:¥7.1303
500:¥6.3054
2,500:¥4.4183
参考库存:15747
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU JenNet-IP ZigBee PRO &IEEE802.15.4 Module
1:¥134.6282
10:¥128.2437
25:¥118.6387
50:¥112.1864
400:¥92.9764
参考库存:4998
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