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无线和射频半导体
AFE7071IRGZT参考图片

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AFE7071IRGZT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • 射频发射器 Intg NCO Dual 14b 65MSPS DAC RF IQ MOD
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库存:4,967(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥174.3477
174.3477
5
¥167.127
835.635
10
¥160.8216
1608.216
25
¥153.6009
3840.0225
250
¥131.0122
32753.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
射频发射器
RoHS
最大工作温度
+ 85 C
封装 / 箱体
VQFN-48
安装风格
SMD/SMT
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
电源电压-最大
3.6 V
电源电压-最小
1.71 V
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
输出功率
0.3 dBm
系列
AFE7071
商标
Texas Instruments
开发套件
AFE7071EVM
最小工作温度
- 40 C
湿度敏感性
Yes
工作电源电流
2 mA
产品类型
RF Transmitter
工厂包装数量
250
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量
140 mg
商品其它信息
优势价格,AFE7071IRGZT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 Power Amplifier
1:¥192.9475
500:¥192.9475
参考库存:13298
无线和射频半导体
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1:¥294.3763
5:¥278.4659
10:¥274.477
25:¥254.6455
500:¥201.5468
参考库存:13301
无线和射频半导体
预定标器 26 GHz DivBy8 SMT w/Reset&prgm out volt
4:¥1,103.4224
5:¥1,087.8284
10:¥1,056.776
25:¥1,002.3778
参考库存:13304
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500:¥507.37
参考库存:13307
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
1:¥544.3323
5:¥534.3431
10:¥520.5119
25:¥510.2967
参考库存:13310
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