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无线和射频半导体
CGHV14800F参考图片

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CGHV14800F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 800 Watt
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1
¥5,780.2099
5780.2099
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
14 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
24 A
输出功率
800 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440117
封装
Tray
工作频率
1.2 GHz to 1.4 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 100 C
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
开发套件
CGHV14800F-TB
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.8 V
商品其它信息
优势价格,CGHV14800F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频混合器 3GHz to 20GHz Microwave Mixer with Integrated IF Balun Transformer
1:¥338.2542
25:¥270.5559
100:¥220.4517
250:¥215.4571
500:¥201.1626
参考库存:2071
无线和射频半导体
射频放大器 .4-2.7GHz NF .85dB Gain 16.2dB
1:¥16.9048
10:¥16.0573
100:¥14.8256
250:¥13.1419
2,500:¥5.6613
参考库存:3626
无线和射频半导体
射频放大器 4.9-5.925GHz LNA WiFi 802.11a/n/ac
1:¥5.2997
250:¥4.9155
500:¥4.3053
1,000:¥3.5369
2,500:¥2.8476
5,000:¥2.3052
参考库存:2454
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF1/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥7,203.75
参考库存:1344
无线和射频半导体
射频放大器 1.8 - 2.4 GHz 25 dBm, 31.5 dB
1:¥106.2652
25:¥81.4504
100:¥63.619
250:¥52.7145
2,500:¥36.3408
参考库存:3798
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