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无线和射频半导体
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MRFG35003N6AT1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5
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1
¥103.4289
103.4289
10
¥95.0556
950.556
25
¥90.8972
2272.43
100
¥80.2978
8029.78
1,000
¥63.619
63619
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
增益
10 dB
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 5 V
Id-连续漏极电流
2.9 A
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PLD-1.5
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single Dual Source
工作频率
3.55 GHz
产品
RF JFET
系列
MRFG35003N6AT1
类型
GaAs pHEMT
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
P1dB - 压缩点
3 W
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
935309639515
单位重量
280 mg
商品其它信息
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