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无线和射频半导体
MRFG35003N6AT1参考图片

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MRFG35003N6AT1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5
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数量单价合计
1
¥103.4289
103.4289
10
¥95.0556
950.556
25
¥90.8972
2272.43
100
¥80.2978
8029.78
1,000
¥63.619
63619
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
增益
10 dB
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 5 V
Id-连续漏极电流
2.9 A
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PLD-1.5
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single Dual Source
工作频率
3.55 GHz
产品
RF JFET
系列
MRFG35003N6AT1
类型
GaAs pHEMT
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
P1dB - 压缩点
3 W
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
935309639515
单位重量
280 mg
商品其它信息
优势价格,MRFG35003N6AT1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频发射器 300-450MHz Low-P Crystal-Based ASK
1:¥18.2834
10:¥16.5206
25:¥14.7578
50:¥10.8367
2,500:¥7.0173
参考库存:6461
无线和射频半导体
射频放大器 lo Noise amp SMT, 6 - 26.5 GHz
1:¥383.8158
5:¥372.2107
10:¥360.5378
25:¥348.9327
100:¥323.3382
200:¥314.0496
参考库存:4137
无线和射频半导体
PIN 二极管 HIGH FREQUENCY
1:¥3.2318
10:¥2.2261
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
8,000:¥0.61472
参考库存:11408
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥353.464
10:¥306.9758
25:¥288.5342
50:¥267.7874
100:¥253.8771
参考库存:3993
无线和射频半导体
衰减器 DATT, 0.5 dB LSB 6 Bit (Hitt Controller)
1:¥67.8452
10:¥61.3138
25:¥58.4775
100:¥50.7935
500:¥44.2621
参考库存:4791
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