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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
技术	GaN
增益	21.7 dB
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	-
输出功率	45 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	-
Pd-功率耗散	45 W
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-20
封装	Cut Tape
封装	Reel
应用	Microcell Base Station, W-CDMA / LTE
配置	Single
工作频率	DC to 4 GHz
系列	QPD
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	250
子类别	Transistors
零件号别名	1132528

商品其它信息

优势价格，QPD0030的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
AD6620ASZ-REEL	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	上下转换器 65MSPS Digital Rcvr Signal Processor	500:¥200.5524	参考库存:18438
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HMC826LP6CETR	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL Int Fract Synth W/VCO	500:¥95.2025 1,000:¥83.4505	参考库存:18447
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