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无线和射频半导体
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QPD1010

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
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数量单价合计
1
¥157.9062
157.9062
25
¥136.5492
3413.73
100
¥118.1076
11810.76
250
¥109.8812
27470.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
24.7 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
400 mA
输出功率
11 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
13.5 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-16
封装
Waffle
配置
Single
工作频率
4 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
开发套件
QPD1010-EVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.8 V
零件号别名
1132873
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格，QPD1010的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC773A-SX
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频混合器 Fundamental Mixer SMT, 6 - 26 GHz
2:¥1,152.826
6:¥1,136.5427
10:¥1,104.1117
26:¥1,047.2501
参考库存:5033
F2915NBGK
IDT
无线和射频半导体
RF 开关 IC HReliability SP4T Absorptive RF Switch
1:¥55.3248
10:¥49.7878
25:¥45.4147
50:¥42.1038
参考库存:5485
BGS8H2X
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
射频放大器 BGS8H2/XSON6///REEL 7 Q1 NDP
1:¥5.0737
10:¥4.1697
100:¥2.6894
1,000:¥2.147
5,000:¥1.8193
参考库存:9387
ATA8520-GHQW
Microchip Technology / Atmel
无线和射频半导体
射频收发器 SigFox 868MHz Transmitter
1:¥18.5207
10:¥18.2156
25:¥15.368
100:¥14.8256
6,000:¥14.8256
参考库存:10732
MRF150
MACOM
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-150MHz 150Watts 50Volt Gain 17dB
1:¥376.742
10:¥352.2323
参考库存:5518
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