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无线和射频半导体
T1G2028536-FS参考图片

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T1G2028536-FS

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
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数量单价合计
1
¥3,903.472
3903.472
25
¥3,597.4228
89935.57
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
18 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
36 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
24 A
输出功率
260 W
最大漏极/栅极电压
48 V
最大工作温度
+ 250 C
Pd-功率耗散
288 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
配置
Single
工作频率
2 GHz
产品
RF Power Transistor
系列
T1G
类型
GaN SiC HEMT
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
零件号别名
1110346
商品其它信息
优势价格,T1G2028536-FS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
250:¥1,018.13
参考库存:14270
无线和射频半导体
调节器/解调器 MODULATOR/DEMOD IC
19:¥500.7708
38:¥465.7295
57:¥451.3559
114:¥440.6774
参考库存:14273
无线和射频半导体
射频无线杂项 All-in-one IC for active FM-antenna
1:¥21.0519
10:¥18.8258
25:¥16.9048
50:¥15.9104
参考库存:14276
无线和射频半导体
PIN 二极管 3000Vr 1.2Vf Ct=3.2pF -65C +175C
1:¥703.8544
5:¥657.8295
参考库存:14279
无线和射频半导体
调节器/解调器 700-1050MHz Quadrature
750:¥93.9708
参考库存:14282
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