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无线和射频半导体
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T1G2028536-FS

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
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1
¥3,903.472
3903.472
25
¥3,597.4228
89935.57
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
18 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
36 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
24 A
输出功率
260 W
最大漏极/栅极电压
48 V
最大工作温度
+ 250 C
Pd-功率耗散
288 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
配置
Single
工作频率
2 GHz
产品
RF Power Transistor
系列
T1G
类型
GaN SiC HEMT
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
零件号别名
1110346
商品其它信息
优势价格，T1G2028536-FS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AGR21125EF
Advanced Semiconductor, Inc.
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz 28Watt Gain 14dB
10:¥793.373
30:¥702.7018
50:¥634.6984
100:¥612.0306
参考库存:28727
SI4421-A1-FT1R
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2,000:¥28.6568
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Silicon Labs
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RF片上系统 - SoC Flex Premium SoC QFN32 2.4 G 19.5 dB proprietary 256 kB 32 kB (RAM) 16GPIO SoC
260:¥34.804
520:¥33.8887
参考库存:28733
SI4021-A1-FT1R
Silicon Labs
无线和射频半导体
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2,000:¥13.8312
参考库存:28736
TRPGP40ATGAB
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RFID应答器 23mm Glass Trp OTP bulk pack
1,000:¥26.3516
2,000:¥25.3572
参考库存:28739
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