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无线和射频半导体
T1G2028536-FS参考图片

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T1G2028536-FS

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
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库存:3,129(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3,903.472
3903.472
25
¥3,597.4228
89935.57
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
18 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
36 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
24 A
输出功率
260 W
最大漏极/栅极电压
48 V
最大工作温度
+ 250 C
Pd-功率耗散
288 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
配置
Single
工作频率
2 GHz
产品
RF Power Transistor
系列
T1G
类型
GaN SiC HEMT
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
零件号别名
1110346
商品其它信息
优势价格,T1G2028536-FS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
调节器/解调器 2GHz Direct Quadrature Modulator
1:¥91.982
25:¥61.0878
100:¥50.4884
250:¥47.9459
参考库存:1989
无线和射频半导体
PIN 二极管 Cj=.10pF 100Volt -65C +175C
100:¥11.3678
300:¥9.9892
500:¥9.379
1,000:¥7.684
参考库存:2114
无线和射频半导体
射频放大器 lo Noise amp SMT, 17 - 27 GHz
1:¥385.6577
5:¥374.0526
10:¥362.3006
25:¥350.6164
参考库存:1917
无线和射频半导体
PIN 二极管 Ls=.7nH SC-79 Single
1:¥4.3053
10:¥3.7855
100:¥2.9041
250:¥2.3617
3,000:¥1.6724
参考库存:5815
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 JFET N-CH 25V 10mA
1:¥6.9947
10:¥6.2376
25:¥5.6387
100:¥4.9381
3,000:¥2.6781
参考库存:6915
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