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无线和射频半导体
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CGH55030F2

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 25 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
12 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
3 A
输出功率
25 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440166
封装
Tray
应用
-
配置
Single
高度
3.43 mm
长度
14.09 mm
工作频率
4.5 GHz to 6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
4.19 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
类
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
60
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MAAL-009053-TR3000
MACOM
无线和射频半导体
射频放大器 800-3000MHz NF 1.4dB Gain 11dB
1:¥17.7523
10:¥15.2098
50:¥13.673
100:¥12.3735
3,000:¥6.6896
参考库存:7987
2SC2714-O(TE85L,F)
Toshiba
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF Device FM band 30V Amp 23dB 100mW
1:¥3.9211
10:¥2.2713
100:¥1.07576
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.68365
参考库存:8047
BGU7031,115
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
射频放大器 1CH 4.5dB 5V 43mA
1:¥3.0736
10:¥2.486
100:¥1.695
1,000:¥1.3334
3,000:¥1.13
参考库存:8157
BAR 74 E6327
Infineon Technologies
无线和射频半导体
PIN 二极管 Silicon Switch Diode 250mA
1:¥1.4577
10:¥1.3334
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:49309
HMC368LP4
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 x2 Active mult SMT, 9 - 16 GHz Fout
1:¥383.6576
5:¥372.0638
10:¥360.4587
25:¥348.7745
参考库存:5018
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