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无线和射频半导体
MRF6V2010NR1参考图片

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MRF6V2010NR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W TO270-2N
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库存:4,272(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥194.1001
194.1001
5
¥185.5686
927.843
10
¥179.0372
1790.372
25
¥156.2112
3905.28
500
¥134.7751
67387.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
110 V
增益
23.9 dB
输出功率
10 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
2.08 mm
长度
9.7 mm
工作频率
450 MHz
系列
MRF6V2010N
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.15 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 5 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.68 V
零件号别名
935309669528
单位重量
529.550 mg
商品其它信息
优势价格,MRF6V2010NR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
相位探测器 / 移相器 8-12GHz IL 6.5dB 360 Deg 5.6 steps
1:¥732.9745
2:¥712.7701
5:¥696.3964
10:¥676.0338
500:¥523.4386
参考库存:3466
无线和射频半导体
RF 开关 IC 5-6500MHz SPDT Iso 30dB @ 2GHz
1:¥12.4526
250:¥11.4469
500:¥9.9892
1,000:¥8.2942
2,500:¥6.6896
参考库存:9798
无线和射频半导体
射频放大器 4.9-6GHz NF .8dB 802.11a/n/ac
1:¥9.831
10:¥9.379
100:¥8.6784
250:¥7.6275
2,500:¥3.2996
参考库存:8101
无线和射频半导体
RF 开关 IC .1-6GHz SPDT CMOS IL .35dB Iso 24dB
1:¥11.4469
10:¥10.2943
25:¥9.2999
100:¥8.2942
3,000:¥5.2545
参考库存:6308
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC SmartMesh WirelessHART Mote-on-Chip, Eterna (QFN), unprogrammed
1:¥482.4761
25:¥402.0314
100:¥341.5538
250:¥328.4119
参考库存:3423
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