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无线和射频半导体
CGH40120F参考图片

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CGH40120F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
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¥2,165.8145
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
19 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
12 A
输出功率
120 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440193
封装
Tube
应用
-
配置
Single
高度
4.19 mm
长度
20.45 mm
工作频率
1 GHz to 2.5 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
5.97 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
类
-
开发套件
CGH40120F-TB
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CGH40120F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF157
Advanced Semiconductor, Inc.
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥3,957.26
10:¥3,780.528
参考库存:42444
BFU710F,115
NXP Semiconductors
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射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
1:¥4.6895
10:¥3.8759
100:¥2.3617
1,000:¥1.8306
3,000:¥1.5594
参考库存:7476
MAX2309ETI+T
Maxim Integrated
无线和射频半导体
调节器/解调器 CDMA If VGAs & I/Q Demodulator w/VCO
1:¥69.0769
10:¥65.2349
25:¥52.1721
50:¥49.5618
2,500:¥31.5044
参考库存:42449
STM32WB55CCU6TR
STMicroelectronics
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC
1:¥46.104
10:¥41.6518
25:¥39.7308
100:¥34.4989
参考库存:42452
CG2164X3-C2
CEL
无线和射频半导体
RF 开关 IC 2.5 and 6GHz DPDT 802.11a/b/g/n/ac
1:¥9.7632
10:¥7.4015
100:¥5.3788
500:¥4.5765
10,000:¥3.3674
参考库存:14002
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