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无线和射频半导体
MRFE6VP100HR5参考图片

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MRFE6VP100HR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 100W 50V ISM
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库存:2,874(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥691.0967
691.0967
5
¥677.7288
3388.644
10
¥655.287
6552.87
25
¥627.5568
15688.92
50
¥618.9462
30947.31
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
141 V
增益
26 dB
输出功率
100 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1800 MHz to 2000 MHz
系列
MRFE6VP100H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
零件号别名
935319905178
单位重量
6.396 g
商品其它信息
优势价格,MRFE6VP100HR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频混合器 LO Freq. 85-4200MHz WB Synthesizer/VCO
1:¥176.0427
25:¥134.8542
100:¥105.429
参考库存:3475
无线和射频半导体
RF 开关 IC .05-6GHz SP4T IL .98dB
1:¥55.2457
25:¥47.0306
100:¥39.9568
250:¥33.9678
2,500:¥20.905
参考库存:5954
无线和射频半导体
射频放大器 DC-3GHz SSG 15dB NF 4.8dB
1:¥84.8291
25:¥72.1505
100:¥61.5511
参考库存:3541
无线和射频半导体
PIN 二极管 Diodes (Limiter)~~RFMW
1:¥51.867
10:¥41.7196
100:¥38.0358
250:¥34.2729
参考库存:3711
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor
1:¥4,211.9846
5:¥3,947.5759
参考库存:41913
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