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无线和射频半导体
BGB 741L7ESD E6327参考图片

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BGB 741L7ESD E6327

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库存:78,638(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.7631
7.7631
10
¥6.6331
66.331
100
¥5.0963
509.63
500
¥4.4974
2248.7
7,500
¥3.0397
22797.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSLP-7-1
类型
ESD-Robust Broadband LNA MMIC
工作频率
50 MHz to 5.5 GHz
P1dB - 压缩点
- 6.5 dBm
增益
20 dB
工作电源电压
3 V
NF—噪声系数
1.05 dB
测试频率
1.5 GHz
OIP3 - 三阶截点
1 dBm
工作电源电流
10 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BGB741L7
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
120 mW
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
7500
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
电源电压-最大
4 V
电源电压-最小
1.8 V
零件号别名
BGB741L7ESDE6327XT BGB741L7ESDE6327XTSA1 SP000442946
单位重量
2 mg
商品其它信息
优势价格,BGB 741L7ESD E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 256 kB M4, +13/ 20 dBm Pro2+, QFN64 wireless MCU
1:¥56.0932
10:¥53.0196
25:¥51.4828
50:¥49.8669
参考库存:2960
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 350W 36V 1030-1090 MHz LDMOS TRANSISTOR
1:¥1,281.2279
5:¥1,250.345
10:¥1,219.2926
25:¥1,202.2409
参考库存:2914
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.575-2.635GHz 48V 110/220 Watt GaN
1:¥1,272.0862
25:¥1,110.1798
参考库存:2937
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC SmartMesh IP Mote-on-Chip, Eterna (QFN), unprogrammed
1:¥178.4948
25:¥142.7642
100:¥116.3335
250:¥113.7232
500:¥109.3388
参考库存:2918
无线和射频半导体
射频放大器 2.7V Cell-Band Linear Power Amp
1:¥48.1041
10:¥45.7198
25:¥37.6516
50:¥35.7306
参考库存:3011
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